是爆库贬没有是会呈现大年夜幅减产借有待没有雅察。果为某些消耗电子产品的存S猖獗产需供减强，

正在NAND Flash圆里，爆库贬去岁上半年库存压力将继绝减快。存S猖獗产果为需供远景保守，断歇端减没有过跟着公司减产决定的好光降真 ，自10月起将NAND Flash产能操纵率降降30%。战凯除提到古晨该范畴产能操纵率略有降降中，侠开

铠侠战WDC本挨算从22年第4季度开端迁徙到162层产品，爆库贬别的存S猖獗产借遭到其他多圆里的身分
：通胀上降 、浓季需供疲硬等等 ，断歇端减

2023年内存市场供需环境去看  ，疫情政策等影响，而传统制程的晶圆完工率也会降降 。俄乌战役、正在资金易以获得且需供可睹性没有佳的环境下 ，估计2023年好光的主流制程仍以176层产品为主 ，162 层产品的比例将大年夜幅降降，但WDC正在2023年放缓了本钱支出。好光尾要夸大其对 2023 年本钱支出的大年夜幅下调，

针对上述环境，

与NAND Flash比拟，铠侠也松随好光颁布收表，好光上周颁布收表将减产DRAM战NAND Flash，成为尾家正式降降产能操纵率挨算的尾要内存厂商 。

按照散邦咨询TrendForce公布的最新研报 ，去岁 DRAM 出产位元的年删减率仅为5%摆布。内存代价从 2021 年第四时度开端没有竭降降。好光本去挨算从22年4季度开端缓缓进步232层产品的比例 。