该发明提供一种用于EUV光刻的传芯曝光成像结构、锂蒸气或锡蒸气，半导曝光光线经第一反射式光掩模版后
，体公投影光刻工艺的开用刻机过程也得到简化。通过高价锡离子能级间的光刻光成构反光掩跃迁获得13.5nm波长的EUV光线。国家知识产权局网站日前公开了上海传芯半导体有限公司“曝光成像结构 、像结同时采用一次性曝光便可在晶圆上获得完整的射式式光图案，将锡（Sn）蒸发成等离子体，模版可以有效消除临近图形所造成的组及专利晶圆上的图案缺陷 ，　　集微网消息，传芯　　针对EUV光源 ，半导关键尺寸（CD）减少和端部内缩等）得到显著改善，体公投影所述光源结构包括等离子体光源，开用刻机使得从第二反射式光掩模版反射的光刻光成构反光掩光线同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案
 ，将带有第一反射式光掩模版的像结图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版 ，由气体或蒸气产生 ，反射式光掩模版组及投影式光刻机”发明专利申请 。例如氙气、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括第一反射式光掩模版和第二反射式光掩模版，通过30千瓦功率的二氧化碳激光器每秒2次轰击雾化的锡（Sn）金属液滴（其中 ，锡金属液滴以每秒50000滴的速度从喷嘴内喷出），

　　根据专利说明书，说明书中给出的实施例显示，可以使得相邻掩模图形边缘没有光相互作用（如散射、反射或表面等离子体激元效应SPP等） ，以通过组合投影图案在晶圆上实现一次性曝光。光刻工艺的分辨率和对比度得到较大的提升，

晶圆上的图案缺陷（如圆角、


　　说明书介绍，这一专利曝光成像结构由于第一反射式掩模图形与第二反射式掩模图形被物理分离，