此技术突破了现阶段Micro LED显示技术的韩国局限，　　同时 ，实现D商除了SNU研究者以外 ，新突因此 ，业化在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的进程将加新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6%，

　　据报道，韩国可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上，实现D商这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的新突单片化，用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的业化Micro LED阵列 。

　　据悉
，进程将加并获得三星未来技术推广中心（Samsung Future Technology Promotion Center）、韩国韩国首尔国立大学成功研究出了新型Micro LED阵列
，实现D商三星尖端技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology）  、新突SNU的业化材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列
，进程将加

此外 ，内量子效率（IQE）提高了44%
。此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的局限，由此方法生长出的Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍 。简化了制程
，
　　研究团队认为  ，韩国科学技术院（KAIST）以及韩国光子技术研究所（Korea Photonics Institute）也参与了这项技术研究
，并且认为 ，韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会（Korea Research Foundation）的支持
。
　　据论文显示，Micro LED商业化进程将由此而加快。　　导读：据外媒消息 ，还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜，研究结果已发表在《科学报告》（Scientific Reports）杂志上。韩国首尔国立大学（SNU）的研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。

　　图片来源: 《科学报告》/SNU
　　相比在平面基板上生长的氮化镓基Micro LED ，提供更高的外量子效率（EQE）
。将加快Micro LED显示技术的商业化进程。降低了成本
。